Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 1000W -32Vceo

Подробное описание

98 ₽

– +

Бонус: 1.96 !

Бонусная программа

Итого: 98 ₽

Купить

Вес и габариты
длина	4.5 mm
Высота	1.5 мм
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	390
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	180
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	2 A
минимальная рабочая температура	55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	32 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	800 mV
pd - рассеивание мощности	1000 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	120 MHz
размер фабричной упаковки	2500
серия	2DB11
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка / блок	SOT-89-3
вес, г	0.052
вид монтажа	SMD/SMT
Ширина	2.48 мм

Отзывов нет

Кнопки

2DB1188R-13