2DA1213YQ-13, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 2.5K

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2DA1213YQ-13
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes 2DA1213YQ-13, Bipolar Transistors - BJT Pwr ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.052
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 2.5K
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.052
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.240 at - 500 mA, - 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120 at - 500 mA, - 2 V
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2.5 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
непрерывный коллекторный ток2 A
партномер8005056064
pd - рассеивание мощности1 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)160 MHz
размер фабричной упаковки2500
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-89-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:33:20
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль