2DA1213Y-13

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes 2DA1213Y-13
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
Высота1.5 mm
Высота 1.5 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT 1W -50V
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
Высота1.5 mm
Высота 1.5 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
длина4.5 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.120 at 500 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
партномер8007567478
pd - рассеивание мощности1000 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)160 MHz
размер фабричной упаковки2500
серия2DA12
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-89-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:10:08
Ширина2.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль