STGWT80V60DF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
STGWT80V60DF
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
1 520
+
Бонус: 30.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 520
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - SingleПолевой упор для траншеи IGBT 600 В, 120 А, 469 Вт, сквозное отверстие TO-3P
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-3P-3, SC-65-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки300
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-3P
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTGWT80V60DF
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-3P
pd - рассеивание мощности469 W
base product numberSTGWT80 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.85 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c120 A
ток утечки затвор-эмиттер250 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.80 A
current - collector (ic) (max)120A
current - collector pulsed (icm)240A
gate charge448nC
igbt typeTrench Field Stop
power - max469W
switching energy1.8mJ (on), 1mJ (off)
td (on/off) @ 25в°c60ns/220ns
vce(on) (max) @ vge, ic2.3V @ 15V, 80A
voltage - collector emitter breakdown (max)600V
test condition400V, 80A, 5Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)60ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль