STGWT60H65FB, Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STGWT60H65FB
STGWT60H65FB, Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-3P-3, SC-65-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки300
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-3P
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTGWT60H65FB
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-3P
pd - рассеивание мощности375 W
base product numberSTGWT60 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.6 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c80 A
ток утечки затвор-эмиттер250 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.60 A
current - collector (ic) (max)80A
current - collector pulsed (icm)240A
gate charge306nC
igbt typeTrench Field Stop
power - max375W
switching energy1.09mJ (on), 626ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c51ns/160ns
vce(on) (max) @ vge, ic2.3V @ 15V, 60A
voltage - collector emitter breakdown (max)650V
test condition400V, 60A, 5Ohm, 15V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль