STGWT40V60DF, Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STGWT40V60DF
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
| Основные | |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| operating temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| максимальная рабочая температура | + 175 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | IGBTs |
| размер фабричной упаковки | 300 |
| тип продукта | IGBT Transistors |
| торговая марка | STMicroelectronics |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-3P |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| серия | STGWT40V60DF |
| reach status | REACH Unaffected |
| supplier device package | TO-3P |
| pd - рассеивание мощности | 283 W |
| base product number | STGWT40 -> |
| input type | Standard |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| конфигурация | Single |
| максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 600 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.35 V |
| непрерывный коллекторный ток при 25 c | 80 A |
| ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
| current - collector (ic) (max) | 80A |
| current - collector pulsed (icm) | 160A |
| gate charge | 226nC |
| igbt type | Trench Field Stop |
| power - max | 283W |
| switching energy | 456ВµJ (on), 411ВµJ (off) |
| td (on/off) @ 25в°c | 52ns/208ns |
| vce(on) (max) @ vge, ic | 2.3V @ 15V, 40A |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 600V |
| test condition | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| reverse recovery time (trr) | 41ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![Транзистор 2SD2088 \NPN\0,9\TO-220\; транз 2SD2088 \NPN\0,9\TO-220\](/wa-data/public/shop/products/22/23/292322/images/337040/337040.300x0.jpg "Транзистор 2SD2088 \NPN\0,9\TO-220\; транз 2SD2088 \NPN\0,9\TO-220\")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
