STGWT30H60DFB, Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STGWT30H60DFB
STGWT30H60DFB, Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
360
+
Бонус: 7.2 !
Бонусная программа
Итого: 360
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT ComponentIGBT Trench Field Stop 600V 60A 260W сквозное отверстие TO-3P
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-3P-3, SC-65-3
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-3P
base product numberSTGWT30 ->
input typeStandard
Вес и габариты
current - collector (ic) (max)60A
current - collector pulsed (icm)120A
gate charge149nC
igbt typeTrench Field Stop
power - max260W
switching energy383ВµJ (on), 293ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c37ns/146ns
vce(on) (max) @ vge, ic2V @ 15V, 30A
voltage - collector emitter breakdown (max)600V
test condition400V, 30A, 10Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)53ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль