STGWA60H65DFB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
STGWA60H65DFB
Основные
вес, г38
package / caseTO-247-3
minimum operating temperature-55 C
factory pack quantity600
3 140
+
Бонус: 62.8 !
Бонусная программа
Итого: 3 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Основные
вес, г38
package / caseTO-247-3
minimum operating temperature-55 C
factory pack quantity600
manufacturerSTMicroelectronics
maximum operating temperature+175 C
mounting styleThrough Hole
product categoryIGBT Transistors
product typeIGBT Transistors
seriesSTGWA60H65DFB
subcategoryIGBTs
configurationSingle
operating temperature range-55 C to+175 C
Вес и габариты
technologySi
pd - power dissipation375 W
maximum gate emitter voltage20 V
collector- emitter voltage vceo max650 V
collector-emitter saturation voltage2 V
continuous collector current at 25 c80 A
gate-emitter leakage current250 nA
continuous collector current80 A
continuous collector current ic max80 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль