STGWA40H60DLFB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
STGWA40H60DLFB
Основные
вес, г6.1
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
1 190
+
Бонус: 23.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Основные
вес, г6.1
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки600
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковка / блокTO-247-3
серияSTGWA40H60DLFB
pd - рассеивание мощности283 W
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер2 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.6 V
непрерывный ток коллектора ic, макс.40 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль