STGWA30IH65DF, БТИЗ транзистор, 60 А, 1.55 В, 180 Вт, 650 В, TO-247LL, 3 вывод(-ов)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STGWA30IH65DF
STGWA30IH65DF, БТИЗ транзистор, 60 А, 1.55 В, 180 Вт, 650 В, TO-247LL, 3 вывод(-ов)
Основные
вес, г6.1
вид монтажа:Through Hole
максимальная рабочая температура:+ 175 C
минимальная рабочая температура:- 55 C
460
+
Бонус: 9.2 !
Бонусная программа
Итого: 460
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Основные
вес, г6.1
вид монтажа:Through Hole
максимальная рабочая температура:+ 175 C
минимальная рабочая температура:- 55 C
подкатегория:IGBTs
производитель:STMicroelectronics
тип продукта:IGBT Transistors
торговая марка:STMicroelectronics
размер фабричной упаковки:600
упаковка:Tube
упаковка / блок:TO-247-3
Вес и габариты
pd - рассеивание мощности:180 W
конфигурация:Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер:20 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:1.55 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c:60 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.:30 A
ток утечки затвор-эмиттер:250 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль