STGWA30HP65FB2

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
STGWA30HP65FB2
Основные
вес, г6.1
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
800
+
Бонус: 16 !
Бонусная программа
Итого: 800
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Основные
вес, г6.1
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки600
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-247 Long Leads
seriesHB2 ->
pd - рассеивание мощности167 W
base product numberSTGWA30 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.65 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c50 A
ток утечки затвор-эмиттер250 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.50 A
current - collector (ic) (max)50A
current - collector pulsed (icm)90A
gate charge90nC
igbt typeTrench Field Stop
power - max167W
td (on/off) @ 25в°c-/71ns
vce(on) (max) @ vge, ic2.1V @ 15V, 30A
voltage - collector emitter breakdown (max)650V
test condition400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)140ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль