STGWA20IH65DF, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.55 В, 159 Вт, 650 В, TO-247LL, 3 вывод(-ов)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STGWA20IH65DF
STGWA20IH65DF, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.55 В, 159 Вт, 650 В, TO-247LL, 3 вывод(-ов)
Основные
вес, г6.1
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
410
+
Бонус: 8.2 !
Бонусная программа
Итого: 410
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 20 A, soft-switching IH series IGBT
Основные
вес, г6.1
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки600
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
серияIH
pd - рассеивание мощности159 W
Вес и габариты
конфигурацияSingle
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.95 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c40 A
ток утечки затвор-эмиттер250 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.20 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль