STGW80V60F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
STGW80V60F
Основные
вес, г38
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
1 790
+
Бонус: 35.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 790
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Основные
вес, г38
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки600
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTGW80V60F
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-247-3
pd - рассеивание мощности469 W
base product numberSTGW80 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.85 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c120 A
ток утечки затвор-эмиттер250 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.80 A
current - collector (ic) (max)120A
current - collector pulsed (icm)240A
gate charge448nC
igbt typeTrench Field Stop
power - max469W
switching energy1.8mJ (on), 1mJ (off)
td (on/off) @ 25в°c60ns/220ns
vce(on) (max) @ vge, ic2.3V @ 15V, 80A
voltage - collector emitter breakdown (max)600V
test condition400V, 80A, 10Ohm, 15V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль