STGW75H65DFB2-4, БТИЗ транзистор, 115 А, 1.55 В, 357 Вт, 650 В, TO-247, 4 вывод(-ов)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STGW75H65DFB2-4
STGW75H65DFB2-4, БТИЗ транзистор, 115 А, 1.55 В, 357 Вт, 650 В, TO-247, 4 вывод(-ов)
Основные
вес, г4.43
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
950
+
Бонус: 19 !
Бонусная программа
Итого: 950
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series
Основные
вес, г4.43
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-4
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки600
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-247-4
seriesHB2 ->
base product numberSTGW75 ->
input typeStandard
Вес и габариты
current - collector (ic) (max)115A
current - collector pulsed (icm)225A
gate charge207nC
igbt typeTrench Field Stop
power - max357W
switching energy992ВµJ (on), 766ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c22ns/121ns
vce(on) (max) @ vge, ic2V @ 15V, 75A
voltage - collector emitter breakdown (max)650V
test condition400V, 75A, 10Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)88ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль