STGW75H65DFB2-4, БТИЗ транзистор, 115 А, 1.55 В, 357 Вт, 650 В, TO-247, 4 вывод(-ов)
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series
Отзывов нет