Name: STGW75H65DFB2-4, БТИЗ транзистор, 115 А, 1.55 В, 357 Вт, 650 В, TO-247, 4 вывод(-ов)
SKU: STGW75H65DFB2-4

STGW75H65DFB2-4, БТИЗ транзистор, 115 А, 1.55 В, 357 Вт, 650 В, TO-247, 4 вывод(-ов)

Подробное описание

Основные
вес, г	4.43
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)

950 ₽

– +

Бонус: 19 !

Бонусная программа

Итого: 950 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series

Основные
вес, г	4.43
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-247-4
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	600
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	STMicroelectronics
упаковка	Tube
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	TO-247-4
series	HB2 ->
base product number	STGW75 ->
input type	Standard
Вес и габариты
current - collector (ic) (max)	115A
current - collector pulsed (icm)	225A
gate charge	207nC
igbt type	Trench Field Stop
power - max	357W
switching energy	992ВµJ (on), 766ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c	22ns/121ns
vce(on) (max) @ vge, ic	2V @ 15V, 75A
voltage - collector emitter breakdown (max)	650V
test condition	400V, 75A, 10Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)	88ns

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

STGW75H65DFB2-4, БТИЗ транзистор, 115 А, 1.55 В, 357 Вт, 650 В, TO-247, 4 вывод(-ов)