STGW60V60DF, Транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STGW60V60DF
STGW60V60DF, Транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]
Основные
package / caseTO-247
minimum operating temperature-55 C
factory pack quantity600
manufacturerSTMicroelectronics
600
+
Бонус: 12 !
Бонусная программа
Итого: 600
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Основные
package / caseTO-247
minimum operating temperature-55 C
factory pack quantity600
manufacturerSTMicroelectronics
maximum operating temperature+175 C
mounting styleThrough Hole
packagingTube
product categoryIGBT Transistors
product typeIGBT Transistors
seriesSTGW60V60DF
subcategoryIGBTs
configurationSingle
Вес и габариты
technologySi
pd - power dissipation375 W
maximum gate emitter voltage20 V
collector- emitter voltage vceo max600 V
collector-emitter saturation voltage2.35 V
continuous collector current at 25 c80 A
gate-emitter leakage current250 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль