STGW60H65DRF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
STGW60H65DRF
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
1 400
+
Бонус: 28 !
Бонусная программа
Итого: 1 400
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки600
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTGW60H65DRF
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-247
pd - рассеивание мощности360 W
base product numberSTGW60 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.9 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c120 A
ток утечки затвор-эмиттер250 nA
current - collector (ic) (max)120A
current - collector pulsed (icm)240A
gate charge217nC
igbt typeTrench Field Stop
power - max420W
switching energy940ВµJ (on), 1.06mJ (off)
td (on/off) @ 25в°c85ns/178ns
vce(on) (max) @ vge, ic2.4V @ 15V, 60A
voltage - collector emitter breakdown (max)650V
test condition400V, 60A, 10Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)19ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль