Name: STGW100H65FB2-4, БТИЗ транзистор, 145 А, 1.55 В, 441 Вт, 650 В, TO-247, 4 вывод(-ов)
SKU: STGW100H65FB2-4

STGW100H65FB2-4, БТИЗ транзистор, 145 А, 1.55 В, 441 Вт, 650 В, TO-247, 4 вывод(-ов)

Подробное описание

Основные
вес, г	4.43
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)

1 250 ₽

– +

Бонус: 25 !

Бонусная программа

Итого: 1 250 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM

Основные
вес, г	4.43
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-247-4
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	600
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	STMicroelectronics
упаковка	Tube
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
серия	HB2
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	TO-247-4
series	HB2 ->
input type	Standard
Вес и габариты
current - collector (ic) (max)	145A
current - collector pulsed (icm)	300A
gate charge	288nC
igbt type	Trench Field Stop
power - max	441W
switching energy	1.06mJ (on), 1.14mJ (off)
td (on/off) @ 25в°c	23ns/141ns
vce(on) (max) @ vge, ic	1.8V @ 15V, 100A
voltage - collector emitter breakdown (max)	650V
test condition	400V, 100A, 3.3Ohm, 15V

Отзывов нет

Кнопки