Name: STGP8NC60KD, Trans IGBT Chip N-CH 600V 7A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
SKU: STGP8NC60KD

STGP8NC60KD, Trans IGBT Chip N-CH 600V 7A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Подробное описание

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C

Все характеристики

97 ₽

– +

Бонус: 1.94 !

Бонусная программа

Итого: 97 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT ComponentБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	1000
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	STMicroelectronics
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
серия	STGP8NC60KD
длина	10.4 mm
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	600 V
непрерывный ток коллектора ic, макс.	7 A
Высота	9.15 мм
Ширина	4.6 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

C этим товаром покупают

Быстрый просмотр

NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]

Быстрый просмотр

PSMN017-60YS.115, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 44А, 74Вт, SOT669

Быстрый просмотр

STGP8NC60KD, Trans IGBT Chip N-CH 600V 7A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

C этим товаром покупают

Похожие товары Сравнить все