STGP30H60DFB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
STGP30H60DFB
Основные
вес, г2
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
840
+
Бонус: 16.8 !
Бонусная программа
Итого: 840
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Основные
вес, г2
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220
base product numberSTGP30 ->
input typeStandard
вид монтажа:Through Hole
максимальная рабочая температура:+ 175 C
минимальная рабочая температура:- 55 C
подкатегория:IGBTs
производитель:STMicroelectronics
серия:STGP30H60DFB
тип продукта:IGBT Transistors
торговая марка:STMicroelectronics
размер фабричной упаковки:1000
упаковка:Tube
упаковка / блок:TO-220-3
Вес и габариты
pd - рассеивание мощности:260 W
технология:Si
конфигурация:Single
current - collector (ic) (max)60A
current - collector pulsed (icm)120A
gate charge149nC
igbt typeTrench Field Stop
power - max260W
switching energy383ВµJ (on), 293ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c37ns/146ns
vce(on) (max) @ vge, ic2V @ 15V, 30A
voltage - collector emitter breakdown (max)600V
test condition400V, 30A, 10Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)53ns
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:600 V
максимальное напряжение затвор-эмиттер:20 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:1.55 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c:60 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.:60 A
ток утечки затвор-эмиттер:+/- 250 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль