STGP20H60DF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
STGP20H60DF
Основные
вес, г2.3
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
620
+
Бонус: 12.4 !
Бонусная программа
Итого: 620
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
Основные
вес, г2.3
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTGP20H60DF
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220
pd - рассеивание мощности167 W
base product numberSTGP20 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c40 A
ток утечки затвор-эмиттер250 nA
current - collector (ic) (max)40A
current - collector pulsed (icm)80A
gate charge115nC
igbt typeTrench Field Stop
power - max167W
switching energy209ВµJ (on), 261ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c42.5ns/177ns
vce(on) (max) @ vge, ic2V @ 15V, 20A
voltage - collector emitter breakdown (max)600V
test condition400V, 20A, 10Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)90ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль