STGP10NB60S

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
STGP10NB60S
Основные
вес, г2
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
54
+
Бонус: 1.08 !
Бонусная программа
Итого: 54
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторыкорпус: TO-220AB, инфо: Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 29 А, 80 ВтБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 10 Amp
Основные
вес, г2
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияSTGP10NB60S
длина10.4 mm
pd - рассеивание мощности80 W
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.7 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c20 A
ток утечки затвор-эмиттер+/- 100 nA
непрерывный коллекторный ток10 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.20 A
Высота 9.15 мм
Ширина4.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль