STGP10M65DF2

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
STGP10M65DF2
Основные
вес, г2
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
480
+
Бонус: 9.6 !
Бонусная программа
Итого: 480
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Основные
вес, г2
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
rohs statusROHS3 Compliant
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTGP10M65DF2
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220
base product numberSTGP10 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
current - collector (ic) (max)20A
current - collector pulsed (icm)40A
gate charge28nC
igbt typeTrench Field Stop
power - max115W
switching energy120ВµJ (on), 270ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c19ns/91ns
vce(on) (max) @ vge, ic2V @ 15V, 10A
voltage - collector emitter breakdown (max)650V
test condition400V, 10A, 22Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)96ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль