STGIPQ3H60T-HL

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
STGIPQ3H60T-HL
Основные
вес, г0.004
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 175 C
2 370
+
Бонус: 47.4 !
Бонусная программа
Итого: 2 370
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Основные
вес, г0.004
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 175 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Carbide Modules
размер фабричной упаковки360
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокN2DIP-26
серияSTGIPQ3H60T-HL
коммерческое обозначениеSLLIMM
Вес и габариты
технологияSiC
конфигурацияHalf Bridge
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.15 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c3 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль