STGIPNS3H60T-H
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Отзывов нет
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![Транзистор КТ630Б \NPN\0,8\КТ- 2-7/TO-39\Ni\; транз КТ630Б \NPN\0,8\КТ-2-7/TO-39\Ni\](/wa-data/public/shop/products/76/22/292276/images/336994/336994.300x0.jpg "Транзистор КТ630Б \NPN\0,8\КТ- 2-7/TO-39\Ni\; транз КТ630Б \NPN\0,8\КТ-2-7/TO-39\Ni\")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
