STGIPN3H60T-H

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
STGIPN3H60T-H
Основные
вес, г4.595
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
packageTube
2 300
+
Бонус: 46 !
Бонусная программа
Итого: 2 300
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Основные
вес, г4.595
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
packageTube
package / case26-PowerDIP Module (0.846"", 21.48mm)
rohs statusROHS3 Compliant
typeIGBT
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки476
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTray
упаковка / блокNDIP-26L
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTGIPN3H60T-H
reach statusREACH Unaffected
напряжение изоляции1кВ
линейка продукцииSLLIMM Nano Series
коммерческое обозначениеSLLIMM
voltage600V
seriesSLLIMMв„ў ->
pd - рассеивание мощности8 W
base product numberSTGIPN3 ->
configuration3 Phase
Вес и габариты
current3A
технологияSi
конфигурация3-Phase Inverter
voltage - isolation1000Vrms
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.15 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c3 A
ток (ic / id)
стиль корпуса интеллектуального модуля питанияNDIP
серия интеллектуального модуля питания (ipm)SLLIMM
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль