STGIB8CH60TS-L

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
STGIB8CH60TS-L
Основные
вес, г9.16
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 125 C
3 560
+
Бонус: 71.2 !
Бонусная программа
Итого: 3 560
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Основные
вес, г9.16
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 125 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки156
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокSDIP2B-26
серияSTGIB8CH60TS-L
коммерческое обозначениеSLLIMM
pd - рассеивание мощности50 W
Вес и габариты
технологияSi
конфигурация3-Phase
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.91 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c12 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль