STGFW40H65FB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
STGFW40H65FB
Основные
вес, г7
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
990
+
Бонус: 19.8 !
Бонусная программа
Итого: 990
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Основные
вес, г7
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-3P-3 Full Pack
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки300
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковка / блокTO-3PF
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTGFW40H65FB
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-3PF-3
pd - рассеивание мощности62.5 W
base product numberSTGFW40 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c80 A
ток утечки затвор-эмиттер250 nA
current - collector (ic) (max)80A
current - collector pulsed (icm)160A
gate charge210nC
igbt typeTrench Field Stop
power - max62.5W
switching energy498ВµJ (on), 363ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c40ns/142ns
vce(on) (max) @ vge, ic2V @ 15V, 40A
voltage - collector emitter breakdown (max)650V
test condition400V, 40A, 5Ohm, 15V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль