STGFW20V60DF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
STGFW20V60DF
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
750
+
Бонус: 15 !
Бонусная программа
Итого: 750
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - SingleIGBT Trench Field Stop 600V 40A 52W сквозное отверстие TO-3PF
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-3P-3 Full Pack
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки300
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-3PF
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTGFW20V60DF
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-3PF
pd - рассеивание мощности52 W
base product numberSTGFW20 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.8 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c40 A
ток утечки затвор-эмиттер250 nA
current - collector (ic) (max)40A
current - collector pulsed (icm)80A
gate charge116nC
igbt typeTrench Field Stop
power - max52W
switching energy200ВµJ (on), 130ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c38ns/149ns
vce(on) (max) @ vge, ic2.2V @ 15V, 20A
voltage - collector emitter breakdown (max)600V
test condition400V, 20A, 15V
reverse recovery time (trr)40ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль