STGFW20H65FB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
STGFW20H65FB
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
980
+
Бонус: 19.6 !
Бонусная программа
Итого: 980
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - SingleТраншейный полевой упор IGBT 650V 40A 52W сквозное отверстие TO-3PF
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-3PFM, SC-93-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки300
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-3PF
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTGFW20H65FB
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-3PF
pd - рассеивание мощности52 W
base product numberSTGFW20 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.55 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c40 A
ток утечки затвор-эмиттер250 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.20 A
current - collector (ic) (max)40A
current - collector pulsed (icm)80A
gate charge120nC
igbt typeTrench Field Stop
power - max52W
switching energy77ВµJ (on), 170ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c30ns/139ns
vce(on) (max) @ vge, ic2V @ 15V, 20A
voltage - collector emitter breakdown (max)650V
test condition400V, 20A, 10Ohm, 15V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль