STGF4M65DF2

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
STGF4M65DF2
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
330
+
Бонус: 6.6 !
Бонусная программа
Итого: 330
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - SingleIGBT Trench Field Stop 650V 8A 23W сквозное отверстие TO-220FP
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220FP-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTGF4M65DF2
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220FP
seriesM ->
pd - рассеивание мощности23 W
base product numberSTGF4 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.6 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c8 A
ток утечки затвор-эмиттер+/- 250 uA
непрерывный ток коллектора ic, макс.8 A
current - collector (ic) (max)8A
current - collector pulsed (icm)16A
gate charge15.2nC
igbt typeTrench Field Stop
power - max23W
switching energy40ВµJ (on), 136ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c12ns/86ns
vce(on) (max) @ vge, ic2.1V @ 15V, 4A
voltage - collector emitter breakdown (max)650V
test condition400V, 4A, 47Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)133ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль