STGF3NC120HD

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
STGF3NC120HD
Основные
вес, г2.46
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
550
+
Бонус: 11 !
Бонусная программа
Итого: 550
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторыкорпус: TO-220FP, инфо: Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 7 А, 25 ВтБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 1200 Volt 3 Amp
Основные
вес, г2.46
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3 FP
серияSTGF3NC120HD
длина10.4 mm
pd - рассеивание мощности25 W
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.8 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c6 A
ток утечки затвор-эмиттер+/- 100 nA
непрерывный коллекторный ток3 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.6 A
Высота 9.3 мм
Ширина4.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль