STGF10H60DF

Подробное описание

Основные
вес, г	2.3
вид монтажа:	Through Hole
максимальная рабочая температура:	+175 C
минимальная рабочая температура:	-55 C

420 ₽

– +

Бонус: 8.4 !

Бонусная программа

Итого: 420 ₽

Купить

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Основные
вес, г	2.3
вид монтажа:	Through Hole
максимальная рабочая температура:	+175 C
минимальная рабочая температура:	-55 C
подкатегория:	IGBTs
производитель:	STMicroelectronics
размер фабричной упаковки: размер фабричной упаковки:	1000
серия:	STGF10H60DF
тип продукта:	IGBT Transistors
торговая марка:	STMicroelectronics
упаковка:	Tube
упаковка / блок:	TO-220-3 FP
Вес и габариты
pd - рассеивание мощности:	30 W
технология:	Si
конфигурация:	Single
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:	600 V
максимальное напряжение затвор-эмиттер:	20 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c:	20 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.:	10 A
ток утечки затвор-эмиттер:	250 nA

Отзывов нет

Кнопки