STGD10HF60KD

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
STGD10HF60KD
Основные
вес, г0.35
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
610
+
Бонус: 12.2 !
Бонусная программа
Итого: 610
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Основные
вес, г0.35
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки2500
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковка / блокDPAK-3
серияSTGD10HF60KD
pd - рассеивание мощности62.5 W
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.75 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c18 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.10 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль