STGB6M65DF2

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
STGB6M65DF2
Основные
вес, г1.38
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
430
+
Бонус: 8.6 !
Бонусная программа
Итого: 430
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Основные
вес, г1.38
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокD2PAK-3
серияSTGB6M65DF2
pd - рассеивание мощности88 W
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.55 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c12 A
ток утечки затвор-эмиттер+/- 250 uA
непрерывный ток коллектора ic, макс.12 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль