STGB19NC60HDT4

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
STGB19NC60HDT4
Основные
вес, г2.24
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
730
+
Бонус: 14.6 !
Бонусная программа
Итого: 730
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 19A
Основные
вес, г2.24
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковка / блокD2PAK-3
серияSTGB19NC60HDT4
длина10.4 mm
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
непрерывный ток коллектора ic, макс.40 A
Высота 4.6 мм
Ширина9.35 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль