RGW80TS65GC11, БТИЗ транзистор, 78 А, 1.5 В, 214 Вт, 650 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RGW80TS65GC11
RGW80TS65GC11, БТИЗ транзистор, 78 А, 1.5 В, 214 Вт, 650 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)
Основные
вес, г6.421
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
810
+
Бонус: 16.2 !
Бонусная программа
Итого: 810
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
Основные
вес, г6.421
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247N-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageTO-247N
pd - рассеивание мощности214 W
base product numberRGW80 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c78 A
ток утечки затвор-эмиттер200 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.78 A
current - collector (ic) (max)78A
current - collector pulsed (icm)160A
gate charge110nC
igbt typeTrench Field Stop
power - max214W
switching energy760ВµJ (on), 720ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c44ns/143ns
vce(on) (max) @ vge, ic1.9V @ 15V, 40A
voltage - collector emitter breakdown (max)650V
test condition400V, 40A, 10Ohm, 15V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль