Name: RGW60TS65GC11, IGBT 650V 30A 1,5V TO-247N
SKU: RGW60TS65GC11

RGW60TS65GC11, IGBT 650V 30A 1,5V TO-247N

Подробное описание

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C

720 ₽

– +

Бонус: 14.4 !

Бонусная программа

Итого: 720 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	ROHM Semiconductor
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247N-3
pd - рассеивание мощности	178 W
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	60 A
ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.	60 A

Отзывов нет

Кнопки