RGW00TK65GVC11, БТИЗ транзистор, 45 А, 1.5 В, 89 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RGW00TK65GVC11
RGW00TK65GVC11, БТИЗ транзистор, 45 А, 1.5 В, 89 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)
Основные
вес, г6.35
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
770
+
Бонус: 15.4 !
Бонусная программа
Итого: 770
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ ОдиночныеБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Основные
вес, г6.35
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковкаTube
упаковка / блокTO-3PFM
pd - рассеивание мощности89 W
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c45 A
ток утечки затвор-эмиттер200 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.45 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль