RGTVX6TS65GC11

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
RGTVX6TS65GC11
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
1 700
+
Бонус: 34 !
Бонусная программа
Итого: 1 700
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 80A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247N-3
pd - рассеивание мощности404 W
другие названия товара №RGTVX6TS65
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c144 A
ток утечки затвор-эмиттер200 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.144 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль