RGTV60TS65GC11, БТИЗ транзистор, 60 А, 1.5 В, 194 Вт, 650 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RGTV60TS65GC11
RGTV60TS65GC11, БТИЗ транзистор, 60 А, 1.5 В, 194 Вт, 650 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)
Основные
вес, г6.421
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
580
+
Бонус: 11.6 !
Бонусная программа
Итого: 580
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
Основные
вес, г6.421
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247N-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageTO-247N
pd - рассеивание мощности194 W
другие названия товара №RGTV60TS65
base product numberRGTV60 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c60 A
ток утечки затвор-эмиттер200 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.60 A
current - collector (ic) (max)60A
current - collector pulsed (icm)120A
gate charge64nC
igbt typeTrench Field Stop
power - max194W
switching energy570ВµJ (on), 500ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c33ns/105ns
vce(on) (max) @ vge, ic1.9V @ 15V, 30A
voltage - collector emitter breakdown (max)650V
test condition400V, 30A, 10Ohm, 15V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль