RGTV00TS65GC11

Подробное описание

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C

1 610 ₽

– +

Бонус: 32.2 !

Бонусная программа

Итого: 1 610 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	ROHM Semiconductor
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247N-3
pd - рассеивание мощности	276 W
другие названия товара №	RGTV00TS65
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	95 A
ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.	95 A

Отзывов нет

Кнопки