RGTV00TK65DGC11

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
RGTV00TK65DGC11
Основные
вид монтажа:Through Hole
максимальная рабочая температура:+175 C
минимальная рабочая температура:-40 C
подкатегория:IGBTs
2 000
+
Бонус: 40 !
Бонусная программа
Итого: 2 000
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Траншейные IGBT с полевым затвором ROHM Полевые затворные транзисторы с канавкой IGBT - это энергосберегающие, высокоэффективные IGBT, которые используются в широком диапазоне высоковольтных и сильноточных приложений. Эти IGBT имеют низкое напряжение насыщения коллектора и эмиттера, короткое замыкание, которое выдерживает время, и встроенный FRD с очень быстрым и мягким восстановлением. Траншейные транзисторы IGBT с ограничителем поля идеально подходят для ИБП, стабилизаторов питания, сварочных аппаратов и инверторов общего назначения для промышленного использования.
Основные
вид монтажа:Through Hole
максимальная рабочая температура:+175 C
минимальная рабочая температура:-40 C
подкатегория:IGBTs
производитель:ROHM Semiconductor
тип продукта:IGBT Transistors
торговая марка:ROHM Semiconductor
размер фабричной упаковки:1
упаковка:Tube
упаковка / блок:TO-3PFM
Вес и габариты
pd - рассеивание мощности:94 W
технология:Si
конфигурация:Single
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:650 V
максимальное напряжение затвор-эмиттер:30 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c:45 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.:45 A
ток утечки затвор-эмиттер:200 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль