RGTH80TK65GC11

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
RGTH80TK65GC11
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
1 630
+
Бонус: 32.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 630
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-3PFM, SC-93-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковкаTube
упаковка / блокTO-3PFM
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageTO-3PFM
pd - рассеивание мощности66 W
другие названия товара №RGTH80TK65
base product numberRGTH80 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.6 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c31 A
ток утечки затвор-эмиттер200 nA
current - collector (ic) (max)31A
current - collector pulsed (icm)160A
gate charge79nC
igbt typeTrench Field Stop
power - max66W
td (on/off) @ 25в°c34ns/120ns
vce(on) (max) @ vge, ic2.1V @ 15V, 40A
voltage - collector emitter breakdown (max)650V
test condition400V, 40A, 10Ohm, 15V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль