Name: RGTH50TK65GC11, БТИЗ транзистор, 26 А, 1.6 В, 59 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)
SKU: RGTH50TK65GC11

RGTH50TK65GC11, БТИЗ транзистор, 26 А, 1.6 В, 59 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)

Подробное описание

Основные
вес, г	2
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C

380 ₽

– +

Бонус: 7.6 !

Бонусная программа

Итого: 380 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

Основные
вес, г	2
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	30
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	ROHM Semiconductor
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-3PFM
pd - рассеивание мощности	59 W
другие названия товара №	RGTH50TK65
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.6 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	26 A
ток утечки затвор-эмиттер	200 nA

Отзывов нет

Кнопки