RGT8TM65DGC9

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
RGT8TM65DGC9
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
450
+
Бонус: 9 !
Бонусная программа
Итого: 450
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - SingleТраншейный полевой упор IGBT 650V 5A 16W сквозное отверстие TO-220NFM
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3 Full Pack
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageTO-220NFM
pd - рассеивание мощности16 W
base product numberRGT8TM65 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.65 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c5 A
ток утечки затвор-эмиттер200 nA
current - collector (ic) (max)5A
current - collector pulsed (icm)12A
gate charge13.5nC
igbt typeTrench Field Stop
power - max16W
td (on/off) @ 25в°c17ns/69ns
vce(on) (max) @ vge, ic2.1V @ 15V, 4A
voltage - collector emitter breakdown (max)650V
test condition400V, 4A, 50Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)40ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль