RGT50TS65DGC11

Подробное описание

Основные
вес, г	38
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C

Все характеристики

860 ₽

– +

Бонус: 17.2 !

Бонусная программа

Итого: 860 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 25A IGBT Stop Trench

Основные
вес, г	38
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	450
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	ROHM Semiconductor
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
серия	RGT50TS65D
pd - рассеивание мощности	174 W
другие названия товара №	RGT50TS65D
диапазон рабочих температур	40 C to + 175 C
Вес и габариты
технология	Si
максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	48 A
ток утечки затвор-эмиттер	+/- 200 nA
непрерывный коллекторный ток	25 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.	48 A

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки