RGT50NS65DGC9
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - SingleIGBT Trench Field Stop 650V 48A 194W сквозное отверстие TO-262
| Основные | |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| operating temperature | -40В°C ~ 175В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| максимальная рабочая температура | + 175 C |
| минимальная рабочая температура | 40 C |
| подкатегория | IGBTs |
| размер фабричной упаковки | 50 |
| тип продукта | IGBT Transistors |
| торговая марка | ROHM Semiconductor |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-262-3 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| supplier device package | TO-262 |
| pd - рассеивание мощности | 194 W |
| другие названия товара № | RGT50NS65D(TO-262) |
| base product number | RGT50 -> |
| input type | Standard |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| конфигурация | Single |
| максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 650 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
| непрерывный коллекторный ток при 25 c | 48 A |
| ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
| current - collector (ic) (max) | 48A |
| current - collector pulsed (icm) | 75A |
| gate charge | 49nC |
| igbt type | Trench Field Stop |
| power - max | 194W |
| td (on/off) @ 25в°c | 27ns/88ns |
| vce(on) (max) @ vge, ic | 2.1V @ 15V, 25A |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 650V |
| test condition | 400V, 25A, 10Ohm, 15V |
| reverse recovery time (trr) | 58ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![2SC3281, Транзистор NPN 200 В 15 А [2-21F1A]](/wa-data/public/shop/products/18/05/190518/images/225791/225791.300x0.jpg "2SC3281, Транзистор NPN 200 В 15 А [2-21F1A]")
![IRF9620PBF, Транзистор MOSFET P-канал 200В 3.5A [TO-220AB]](/wa-data/public/shop/products/51/32/203251/images/236472/236472.300x0.jpg "IRF9620PBF, Транзистор MOSFET P-канал 200В 3.5A [TO-220AB]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
