Name: RGT50NS65DGC9, БТИЗ транзистор, 48 А, 1.65 В, 194 Вт, 650 В, TO-262, 3 вывод(-ов)
SKU: RGT50NS65DGC9

RGT50NS65DGC9, БТИЗ транзистор, 48 А, 1.65 В, 194 Вт, 650 В, TO-262, 3 вывод(-ов)

Подробное описание

Основные
вес, г	2
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-40В°C ~ 175В°C (TJ)

Все характеристики

450 ₽

– +

Бонус: 9 !

Бонусная программа

Итого: 450 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

Основные
вес, г	2
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-40В°C ~ 175В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	ROHM Semiconductor
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-262-3
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
supplier device package	TO-262
pd - рассеивание мощности	194 W
другие названия товара №	RGT50NS65D(TO-262)
base product number	RGT50 ->
input type	Standard
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	48 A
ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
current - collector (ic) (max)	48A
current - collector pulsed (icm)	75A
gate charge	49nC
igbt type	Trench Field Stop
power - max	194W
td (on/off) @ 25в°c	27ns/88ns
vce(on) (max) @ vge, ic	2.1V @ 15V, 25A
voltage - collector emitter breakdown (max)	650V
test condition	400V, 25A, 10Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)	58ns

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

RGT50NS65DGC9, БТИЗ транзистор, 48 А, 1.65 В, 194 Вт, 650 В, TO-262, 3 вывод(-ов)

Похожие товары Сравнить все