RGT40TM65DGC9, БТИЗ транзистор, 17 А, 1.65 В, 39 Вт, 650 В, TO-220NFM, 3 вывод(-ов)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RGT40TM65DGC9
RGT40TM65DGC9, БТИЗ транзистор, 17 А, 1.65 В, 39 Вт, 650 В, TO-220NFM, 3 вывод(-ов)
Основные
вес, г2
вид монтажа:Through Hole
максимальная рабочая температура:+ 175 C
минимальная рабочая температура:- 40 C
410
+
Бонус: 8.2 !
Бонусная программа
Итого: 410
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Траншейные IGBT с полевой остановкой ROHM Trench с полевой остановкой IGBT - это энергосберегающие высокоэффективные IGBT, которые используются в широком диапазоне высоковольтных и сильноточных приложений. Эти БТИЗ имеют низкое напряжение насыщения коллектора и эмиттера, выдерживают короткое замыкание и обладают очень быстрым встроенным усилителем; мягкое восстановление FRD. Траншейные БТИЗ с ограничителем поля идеальны для ИБП, стабилизаторов напряжения, сварочных аппаратов и инверторов общего назначения для промышленного использования.
Основные
вес, г2
вид монтажа:Through Hole
максимальная рабочая температура:+ 175 C
минимальная рабочая температура:- 40 C
подкатегория:IGBTs
производитель:ROHM Semiconductor
тип продукта:IGBT Transistors
торговая марка:ROHM Semiconductor
размер фабричной упаковки:50
упаковка:Tube
другие названия товара №:RGT40TM65D
упаковка / блок:TO-220-3
Вес и габариты
pd - рассеивание мощности:39 W
технология:Si
конфигурация:Single
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:650 V
максимальное напряжение затвор-эмиттер:30 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:1.65 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c:17 A
ток утечки затвор-эмиттер:200 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль